吳漢明：后摩爾定律時(shí)代芯片制造存三大挑戰(zhàn)

每經(jīng)記者 朱成祥    每經(jīng)編輯 張海妮    

10月14日，第三屆全球IC企業(yè)家大會，中國工程院院士、浙江大學(xué)微納電子學(xué)院院長吳漢明發(fā)表開幕演講。圖片來源：每經(jīng)記者 朱成祥 攝

在10月14日第三屆全球IC企業(yè)家大會上，中國工程院院士、浙江大學(xué)微納電子學(xué)院院長吳漢明發(fā)表開幕演講，其表示后摩爾定律時(shí)代芯片制造存三大挑戰(zhàn)，即基礎(chǔ)挑戰(zhàn)、核心挑戰(zhàn)和終極挑戰(zhàn)。

其中，基礎(chǔ)挑戰(zhàn)主要指芯片圖形工藝，包括光刻工藝和刻蝕工藝；核心挑戰(zhàn)指的是新材料和新工藝；而終極挑戰(zhàn)則是提升良率。