半導體金屬行業(yè)點評：半導體復蘇預期漸濃，Low~α球硅/球鋁、氧化鋯、納米銀有望受益（光大證券研報）

每經(jīng)AI快訊，2024年1月18日，光大證券發(fā)布研報點評半導體金屬行業(yè)。

事件：近日，6家市場調研機構分別更新了對2024年半導體市場增速的預測，增速在13%~20%不等。

2024年將是半導體的復蘇之年，其中存儲芯片的增速最快。根據(jù)WSTS于2023.11月發(fā)布的統(tǒng)計與預測，2023年全年半導體市場規(guī)模整體下降9.4%，而2024年半導體市場整體規(guī)模將增長13.1%，其中存儲芯片行業(yè)規(guī)模有望飆升至1300億美元左右，相比前一年大幅增長超過40%。

存儲芯片的快速增長，將帶來Low-α球硅/球鋁的需求增量。HBM屬于存儲芯片中的一種，由于高帶寬、高容量、低功耗等優(yōu)勢，突破了內存容量與帶寬瓶頸，受到了存儲巨頭的高度重視。根據(jù)我們2023-11-24外發(fā)的研報《Low-α球鋁/球硅材料有望顯著受益于先進封裝大發(fā)展——HBM概念股異動點評》，HBM的快速增長將帶來Low-α球硅/球鋁的需求增長，預計到2025年，Low-α球硅/球鋁的市場空間將分別是2022年的1.66/2.91倍。

2023年半導體前道晶圓制造材料的國產(chǎn)化率較低的三個品種為：光刻膠、掩膜版和前驅體。2023年中國半導體晶圓制造材料的整體國產(chǎn)化率為20%-30%，其中電子特氣、靶材國產(chǎn)化率約為30-40%；硅片、濕電子化學品、CMP耗材總體國產(chǎn)化率約在20-30%。而光刻膠的國產(chǎn)化率仍然較低，其中EUV光刻膠的國產(chǎn)化率為0，ArF光刻膠國產(chǎn)化率僅1%；此外，掩膜版、前驅體材料的國產(chǎn)化率也相對而言較低。

EUV光刻膠為目前最前沿的技術難題，以氧化鋯為主要成分的金屬基光刻膠為目前研究進展較快的技術路線。目前已報道的EUV光刻膠類型主要包括聚合物基光刻膠、有機分子玻璃光刻膠、金屬基光刻膠等。由于金屬基光刻膠的尺寸小、EUV吸收率高以及抗刻蝕性強，金屬基光刻膠得到了更為廣泛的研究。2023年10月，清華大學的何向明研究員、徐宏副教授研發(fā)出了一種極其靈敏的氧化鋯雜化光刻膠系統(tǒng)，其靈敏度幾乎比聚合物基光刻膠高出兩個數(shù)量級。

2020至2025年，EUV光刻膠的市場占有率將由不到1%增長到10%，氧化鋯需求也有望受到拉動。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，2020年全球半導體光刻膠市場中占比最大的為ArFi，達40%，其次為KrF占比33%，EUV僅占不到1%。而據(jù)集邦咨詢預測，隨著業(yè)界對提高計算能力和能效的芯片的追求，EUV光刻膠將迎來大幅增長，預計到2025年，EUV光刻膠將占據(jù)10%的市場份額。

功率半導體的后道封裝環(huán)節(jié)中，納米銀是值得關注的材料。納米銀燒結工藝是一種采用納米銀漿料作為導電粘結材料的芯片封裝方法。簡單說就是用納米銀取代傳統(tǒng)封裝工藝中的金、錫等金屬焊料。納米銀的低溫連接、高服役溫度、高連接強度、高導熱率，使得其特別適合作為大功率模塊的封裝材料。目前，半導體封裝用納米銀的應用仍然處于起步階段，市場空間廣闊。

投資建議：2024年將是半導體復蘇的一年，其中存儲芯片、EUV光刻膠以及納米銀的增長值得關注。存儲芯片方向，建議關注Low-α球硅/球鋁上市企業(yè)聯(lián)瑞新材、壹石通；EUV光刻膠方向，根據(jù)清華大學最新研究進展，可能采用氧化鋯基光刻膠的技術路線，建議關注鋯金屬上市企業(yè)東方鋯業(yè)；納米銀方向，建議關注西部材料（目前公司研發(fā)的納米銀線主要應用于柔性屏，是否能實際應用于功率半導體封裝尚未明晰）。

風險提示：半導體技術路線更替風險，政策變動風險，理論研究未落地風險等。

(來源：慧博投研)

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(編輯 曾健輝)