公司SIC產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)度如何？時(shí)代電氣回應(yīng)

每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動(dòng)平臺(tái)提問：請問公司SIC產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)度如何？

時(shí)代電氣（688187.SH）12月4日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。預(yù)計(jì)年底可以完成。

(記者 畢陸名)

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