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我國科學家突破硅基閃存器件尺寸極限

2024-08-14 09:31:54

每經AI快訊,記者從復旦大學獲悉,該校周鵬-劉春森團隊從界面工程出發(fā),在國際上首次實現(xiàn)了最大規(guī)模1Kb納秒超快閃存陣列集成驗證,并證明了其超快特性可延伸至亞10納米。相關研究成果12日發(fā)表于國際期刊《自然·電子學》。

該研究團隊研發(fā)了不依賴先進光刻設備的自對準工藝,結合原始創(chuàng)新的超快存儲疊層電場設計理論,成功實現(xiàn)了溝道長度為8納米的超快閃存器件。該器件是目前國際最短溝道閃存器件,突破了硅基閃存物理尺寸極限,約15納米。(科技日報)

責編 張喜威

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