力合創(chuàng)投：瑞波光電實現(xiàn)國產(chǎn)905nm EEL芯片重大技術(shù)突破

每經(jīng)AI快訊，5月5日，力合創(chuàng)投官微消息，力合創(chuàng)投在孵在投企業(yè)瑞波光電作為國內(nèi)激光雷達發(fā)射芯片供應(yīng)商，日前推出具備自主核心技術(shù)的新一代3J和4J的低溫漂65W、135W、165W 905nm芯片系列，波長隨溫度變化系數(shù)小于0.09nm/K，部分型號達到0.06nm/K，在溫度漂移特性已經(jīng)接近甚至優(yōu)于VCSEL，實現(xiàn)了國產(chǎn)905nm EEL芯片的重大技術(shù)突破，填補了國內(nèi)空白，同時削弱了VCSEL的競爭優(yōu)勢。瑞波光電目前已經(jīng)與國內(nèi)多家頭部激光雷達廠商展開深度合作，并實現(xiàn)批量的應(yīng)用。（每經(jīng)）