鋮昌科技：砷化鎵半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)

每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動(dòng)平臺(tái)提問：衛(wèi)星通信要實(shí)現(xiàn)在低軌毫米波傳輸，必須使用相控陣技術(shù)，TR組件為相控陣天線的核心部件，毫米波單片集成電路主要采用化合物半導(dǎo)體工藝，砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等，其在毫米波頻段具有良好的性能，是該頻段的主流集成電路工藝請(qǐng)問是否屬實(shí)？ 鋮昌科技（001270.SZ）3月13日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，砷化鎵半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，故在星載、地面等領(lǐng)域T/R芯片中得到重要應(yīng)用。另外，公司推出的星載和地面用衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)相控陣T/R芯片全套解決方案中，研制的硅基毫米波模擬波束賦形芯片系列產(chǎn)品的性能優(yōu)異。 (記者陳鵬程) 免責(zé)聲明：本文內(nèi)容與數(shù)據(jù)僅供參考，不構(gòu)成投資建議，使用前核實(shí)。據(jù)此操作，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。