上海：積極推動非硅基半導(dǎo)體材料技術(shù)研究和布局

每經(jīng)AI快訊，10月11日，上海印發(fā)《上海打造未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地發(fā)展壯大未來產(chǎn)業(yè)集群行動方案》，其中提到，推動碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體化合物發(fā)展，持續(xù)提升寬禁帶半導(dǎo)體化合物晶體制備技術(shù)能級和量產(chǎn)規(guī)模，積極布局寬禁帶半導(dǎo)體晶圓制造工藝技術(shù)，增強寬禁帶半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品設(shè)計能力，擴大產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域。積極推動石墨烯、碳納米管等碳基芯片材料，半導(dǎo)體二維材料等未來非硅基半導(dǎo)體材料技術(shù)研究和布局。