2022-07-25 07:32:41
每經(jīng)AI快訊，據(jù)最新一期《科學》雜志，來自美國麻省理工學院、休斯頓大學和其他機構(gòu)的一個研究團隊進行的實驗表明，一種名為立方砷化硼的材料克服了硅作為半導體的兩個限制：為電子和空穴提供很高的遷移率，并具有良好的導熱性能。研究人員說，它可能是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好的半導體材料。（科技日報）
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