2022-07-25 07:32:41
每經(jīng)AI快訊，據(jù)最新一期《科學(xué)》雜志，來自美國(guó)麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)和其他機(jī)構(gòu)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)表明，一種名為立方砷化硼的材料克服了硅作為半導(dǎo)體的兩個(gè)限制：為電子和空穴提供很高的遷移率，并具有良好的導(dǎo)熱性能。研究人員說，它可能是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好的半導(dǎo)體材料。（科技日?qǐng)?bào)）
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