捷捷微電：公司目前有少量碳化硅器件的封測(cè)，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過(guò)程中

每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動(dòng)平臺(tái)提問(wèn)：請(qǐng)問(wèn)兩個(gè)問(wèn)題:一是貴公司計(jì)劃建設(shè)的是六英寸晶圓及器件封測(cè)生產(chǎn)線(xiàn)，為什么不是目前業(yè)界比較多的八英寸或者12英寸；二是貴公司在去年的年報(bào)中就已經(jīng)披露了三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)，目前到底研發(fā)進(jìn)度如何，是否和計(jì)劃相比，已經(jīng)嚴(yán)重滯后，同時(shí)在生產(chǎn)上，對(duì)未來(lái)的三代半導(dǎo)體生產(chǎn)是否有考慮。謝謝

捷捷微電（300623.SZ）12月16日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，由公司全資子公司捷捷半導(dǎo)體承建的“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測(cè)生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目”是我們的重點(diǎn)項(xiàng)目之一。理論上講芯片的版面越大效率越高，就功率半導(dǎo)體器件而言，要結(jié)合市場(chǎng)份額與產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)和投資規(guī)模、產(chǎn)業(yè)周期、生產(chǎn)工藝等前置條件與之相匹配。即功率半導(dǎo)體器件需要不同的芯片產(chǎn)線(xiàn)、工藝和封測(cè)能力相關(guān)聯(lián)（IDM具備核心競(jìng)爭(zhēng)力），并對(duì)應(yīng)不同的市場(chǎng)細(xì)分領(lǐng)域和市場(chǎng)份額。從效率而言，芯片產(chǎn)線(xiàn)版面與市場(chǎng)份額以及效率與邊際等是正相關(guān)的。目前國(guó)內(nèi)的晶閘管和部分二極管、防護(hù)器件等仍以4寸線(xiàn)為主流（國(guó)外5、6寸為主流）；平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片，低電容、低殘壓等保護(hù)器件芯片和部分MOSFET等以6寸線(xiàn)為主流；中高端MOSFET、IGBT等以8寸片線(xiàn)為主流，還有部分IGBT需要12寸線(xiàn)支持（國(guó)外為主）等。公司MOS系列產(chǎn)品目前采用的是Fabless+封測(cè)的運(yùn)營(yíng)模式，6英寸與8英寸芯片是流片的。 公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，截止至2021年第三季度末，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)實(shí)用新型專(zhuān)利4件，此外，公司還有3個(gè)發(fā)明專(zhuān)利尚在申請(qǐng)受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封測(cè)，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過(guò)程中，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段，后續(xù)進(jìn)展情況請(qǐng)關(guān)注公司公告。

(記者 曾健輝)

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