國產(chǎn)替代概念活躍，半導(dǎo)體材料ETF（562590） 低開高走，漲超1%

截至11:01，半導(dǎo)體材料ETF（562590）漲1.03%，有望兩連陽，持倉股江化微漲停，文一科技觸及漲停板，華海誠科、拓荊科技跟漲。

截至11月27日，半導(dǎo)體材料ETF（562590）規(guī)模4.3億元，較年初暴增近20倍，反映投資者對半導(dǎo)體上游板塊信心。

國泰君安認為，先進封裝作為提升芯片性能的又一利器，或加速發(fā)展對沖國內(nèi)前道制造落后狀態(tài)。

半導(dǎo)體市場復(fù)蘇態(tài)勢向好，投資者不妨關(guān)注半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），產(chǎn)品緊密跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備指數(shù)，指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（53.7%）、半導(dǎo)體材料（22.9%）占比靠前，合計權(quán)重超76%，充分聚焦指數(shù)主題，均為國產(chǎn)替代關(guān)鍵環(huán)節(jié)。