從遍地虧損到不斷漲價：誰救了存儲芯片

每經(jīng)記者 王晶    每經(jīng)編輯 文多    

近年來，存儲市場在終端需求不振、產(chǎn)業(yè)鏈高庫存等不利因素下步入下行周期，包括存儲原廠在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)都遭遇重創(chuàng)，最終三星、SK海力士、美光科技、西部數(shù)據(jù)和鎧俠等廠商紛紛宣布減少產(chǎn)能，并降低關(guān)于存儲業(yè)務的資本性支出。不約而同的減產(chǎn)計劃，促使存儲周期提前進入復蘇階段。

“去年三、四季度是存儲大廠限制供應所帶動的漲價，但現(xiàn)在的漲價，主要是因為新需求增加所帶動的，接下來延續(xù)漲價沒有懸念。”大為創(chuàng)芯銷售總監(jiān)徐志文近日在線上對《每日經(jīng)濟新聞》記者分析說。

進入2023年，除傳統(tǒng)手機、PC和服務器市場外，ChatGPT開啟的AI大模型浪潮、汽車智能化浪潮帶來更多商業(yè)機會，這些應用場景對數(shù)據(jù)存儲的容量、效率、流動性和安全性等方面提出了更高的需求。面對新局面，徐志文認為：“目前存儲市場的漲價幅度在20%左右，更高容量的存儲產(chǎn)品預計今年還會漲價，這些高容量產(chǎn)品受益于AI的帶動。”

存儲芯片是全球芯片市場的重要支柱，約占全球半導體市場的1/4至1/3。存儲芯片可以簡單地分為閃存和內(nèi)存，其中，閃存主要有NAND Flash、NOR Flash，內(nèi)存主要為DRAM。

對于2024年全年，深圳市閃存市場資訊有限公司總經(jīng)理邰煒在近日舉辦的CFMS|MemoryS 2024峰會上預測：“今年存儲市場開始重新回到正軌，存儲價格呈平穩(wěn)上升的趨勢，再加上先進技術(shù)以及新興市場的應用，存儲行業(yè)正在從‘價格’走入‘價值’周期，我們預計今年市場規(guī)模將同比提升42%以上。其中，NAND FLASH將超過8000億GB（存儲數(shù)據(jù)容量大小單位）當量，相比去年增長20%，而DRAM預計增長達15%，有望達到2370億GB當量。”

鎧俠首席技術(shù)執(zhí)行官柳茂知在會上發(fā)表演講 圖片來源：每經(jīng)記者 王晶 攝

存儲市場“供銷兩旺”原廠業(yè)績好轉(zhuǎn)

當前，全球存儲市場絕大部分份額由國外廠商占有，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，行業(yè)集中度較高。Statista數(shù)據(jù)顯示，截至2022第三季度，全球DRAM市場幾乎由三星、SK海力士和美光科技壟斷，份額分別為41%、29%和26%；而全球NAND flash市場則由三星、鎧俠和海力士壟斷，2022第三季度市場份額分別為31.4%、20.6%和13.0%。這些大廠向包括蘋果等在內(nèi)的終端企業(yè)提供內(nèi)存芯片等眾多零部件，對行業(yè)影響深刻。

2022年及2023年上半年，由于手機、筆記本電腦等出貨量下滑，存儲芯片進入下行周期。據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織數(shù)據(jù)，2022年存儲芯片市場規(guī)模約為1344.1億美元，同比下滑12.6%。Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規(guī)模下降了37%，成為半導體市場中下降最大的細分領(lǐng)域。

今年1月底，A股存儲企業(yè)江波龍（SZ301308，股價96.69元，市值399.2億元）的2023年度業(yè)績預告稱，2023年營業(yè)收入預計為100億—105億元；歸母凈利潤為虧損8億—8.6億元。“公司所在的存儲行業(yè)，受到終端消費需求萎靡以及相關(guān)不利宏觀因素的影響，2023年1—9月行業(yè)下行趨勢加劇。”江波龍在公告中解釋稱。

公開資料顯示，江波龍的產(chǎn)品包括嵌入式存儲、固態(tài)硬盤、移動存儲和內(nèi)存條四大產(chǎn)品線。

國際存儲大廠的日子也不好過。2023年前三季度基本上延續(xù)了2022年以來的行業(yè)下行趨勢，相關(guān)公開數(shù)據(jù)顯示，三星、SK海力士、美光科技等廠商業(yè)績均出現(xiàn)明顯虧損。

不過，從2023年第三季度尾聲開始，國際存儲原廠采取的減產(chǎn)、削減資本開支等措施開始收到明顯效果，同時疊加終端消費需求回升——特別是手機、個人電腦等主要存儲應用市場的逐步回暖，存儲行業(yè)開始走出下行周期。

CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2023年四季度NAND Flash現(xiàn)貨市場綜合價格指數(shù)上揚超30%，DRAM現(xiàn)貨市場綜合價格指數(shù)上升超15%。2024年第一季度，存儲行業(yè)“淡季不淡”，TrendForce集邦咨詢稱，NAND Flash合約價平均漲幅已高達25%。

漲價潮令上游存儲大廠業(yè)績加速回暖。據(jù)三星電子公布的2023年第四季度（截至2023年12月31日）業(yè)績顯示，報告期內(nèi)公司實現(xiàn)營收67.78萬億韓元，環(huán)比增長0.6%，同比下降3.8%。其中，存儲業(yè)務營收15.71萬億韓元，同比增長29%。

據(jù)報道，在3月20日舉行的年度股東大會上，三星稱，預計2024年旗下存儲半導體部門銷售額有望恢復至2022年的水平，同時還定下了更高的目標——要在兩到三年內(nèi)，重新奪回全球芯片市場第一的位置。

而美國存儲芯片公司美光科技則實現(xiàn)扭虧為盈。公司截至2月29日的2024財年第二財季業(yè)績顯示，報告期內(nèi)，美光科技實現(xiàn)營收58.24億美元，同比增長57.7%，增速遠超第一財季的15.6%，高于分析師預期的53.5億美元，調(diào)整后運營收益2.04億美元。公司第二財季調(diào)整后的毛利潤率為20%。

據(jù)報道，美光科技首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在電話會議上表示：“面對AI給半導體行業(yè)帶來的多年機遇，我相信美光科技將是最大的受益者之一。”據(jù)悉，HBM（高帶寬內(nèi)存，一種新興的DRAM解決方案）技術(shù)作為美光科技的創(chuàng)收新引擎，與英偉達新款AI GPU全面綁定。

除此之外，從SK海力士、鎧俠及西部數(shù)據(jù)發(fā)布的最新一季財報中也可以看出，各大廠商虧損幅度均有所收窄。

對于今年存儲市場的發(fā)展，江波龍高級副總裁、COO（首席運營官）王景陽用“供銷兩旺”四個字進行了概括。他近日在線下對包括《每日經(jīng)濟新聞》在內(nèi)的媒體記者表示：“行業(yè)對今年二季度存儲漲價的預期是存在的，但大幅度漲價也存在一些不好的地方——會抑制需求，所以到了一定階段，（漲價）會稍微平緩一點。我們判斷今年上半年可能在價錢方面還是漲幅高一點，但下半年慢慢會平穩(wěn)一些，整體來看，全年需求量跟去年相比確實有增加。”

在存儲的技術(shù)演進方面，邰煒認為：“2023年各企業(yè)紛紛推出200層以上堆疊的NAND Flash產(chǎn)品，今年更是朝300層推進，閃存產(chǎn)品的容量將進一步的提高；而鍵合技術(shù)開始逐步進入主流，讓存儲芯片設(shè)計實現(xiàn)更多的特效，從而有效地激發(fā)存儲潛能；DRAM技術(shù)也在快速發(fā)展，1b（10—12納米制程工藝）的DRAM產(chǎn)品將成為當下主流技術(shù)，在未來兩年也將推出下一代技術(shù)。隨著更多產(chǎn)品對存儲的容量要求越來越大，我們預計今年QLC（四層式存儲單元）的應用將開始加速，除了在傳統(tǒng)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品上，其他的應用領(lǐng)域也將開始得到全面的擴展。”

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AI對存儲應用市場提出新要求

從應用市場看，手機、PC是人們熟知的存儲應用市場，但AI技術(shù)對上述應用市場也提出了新的存儲要求。

據(jù)悉，生成式AI模型——如LLaMA模型，對內(nèi)存的要求很高。例如，70億參數(shù)的LLaMA模型FP16版本大小約為14GB，而現(xiàn)有的移動設(shè)備內(nèi)存通常不到10GB。vivo副總裁、OS產(chǎn)品副總裁周圍也曾坦言，大模型大面積應用的時候，遇到的問題非常多。“1B（10億個）參數(shù)的大模型會占內(nèi)存1GB，7B則占4GB，13B則占用超過7GB，而高端手機的內(nèi)存是12GB、16GB。所以，還是挺有挑戰(zhàn)的。”

王景陽透露，近期公司已經(jīng)感受到客戶對大容量存儲產(chǎn)品的需求逐步提升。近年來，“大內(nèi)存”智能手機已成為新趨勢之一，尤其是越來越多的中高端安卓手機開始搭載12GB/16GB的LPDDR（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率）內(nèi)存，也不乏一些手機廠商已淘汰8GB內(nèi)存，并推出16GB+1TB的超大內(nèi)存方案。

峰會上，三星半導體表示，為滿足日漸增長的端側(cè)AI需求，實現(xiàn)大語言模型的端側(cè)運行，公司計劃提升UFS（通用閃存存儲）接口速度，并正在研發(fā)一款使用UFS 4.0技術(shù)的新產(chǎn)品，將通道數(shù)量從目前的2路提升到4路。

“我們的目標是盡快將UFS產(chǎn)品的順序讀取性能提高一倍，為此我們正準備在2025年大規(guī)模生產(chǎn)一款將兩個UFS控制器封裝在一起的4通道的UFS產(chǎn)品，三星計劃在今年夏天交付第一個工作樣品。”三星電子執(zhí)行副總裁兼解決方案產(chǎn)品工程師團隊負責人吳和錫在會上說道。

手機之外，AI PC（人工智能個人電腦）也可能成為PC產(chǎn)業(yè)發(fā)展新動力。Canalys最新預測數(shù)據(jù)顯示，2024年，全球AI PC出貨量將達到4800萬臺，占PC總出貨量的18%。但這僅是市場轉(zhuǎn)型的開始，預計到2025年，AI PC出貨量將超過1億臺，占PC總出貨量的40%。到2028年，AI PC出貨量將達到2.05億臺，2024年至2028年的復合年增長率將達到驚人的44%。英特爾方面甚至稱，AI PC是20年一遇的PC產(chǎn)業(yè)重大革新。

隨著AI PC成為趨勢，存儲行業(yè)也迎來巨大機遇。峰會上，英特爾中國區(qū)技術(shù)部總經(jīng)理高宇表示，大語言模型是一個典型的內(nèi)存受限場景，因此對內(nèi)存速度和內(nèi)存容量非常敏感。“未來的AI PC入門級或標配一定是32GB內(nèi)，當前16GB內(nèi)存一定會被淘汰，而明年64GB內(nèi)存的PC將開始出貨，速度更快容量更高。此外，由于模型體量巨大，若同時跑多個模型，需要調(diào)動的資源龐大，這對固態(tài)硬盤的性能和容量要求非常高。”

盡管去年整機需求下滑使得消費類固態(tài)硬盤需求下滑，但是高容量固態(tài)硬盤的應用顯著提升，1TGB PCIe 4.0（PCIe 4.0是一種高速計算機總線和通信接口標準）已基本是PC市場的主流配置。CFM閃存市場指出，在PC DRAM方面，由于更輕薄、長續(xù)航以及LPCAMM（低功耗壓縮附加內(nèi)存模組）新形態(tài)產(chǎn)品在PC上的應用發(fā)展，預計LPDDR，尤其是LPDDR 5/X將迎來迅速發(fā)展。隨著新處理器平臺的導入，DDR5在2024年也將加大在PC上的應用。

大為創(chuàng)芯等上游供應鏈已經(jīng)開始受益。“公司在AI PC方面的訂單已經(jīng)有所增加，其中手持式平板/手機的LPDDR 4增加較多，現(xiàn)在DRAM市場主流將從DDR 4進入DDR 5，接下來公司也會推出LPDDR 5、DDR 5顆粒/DDR 5內(nèi)存條。即便今年AI PC的總量不是太大，但這塊業(yè)務未來一定會蓬勃發(fā)展，我們非?？春眠@個領(lǐng)域。”徐志文說道。在他看來，當前大為創(chuàng)芯的存儲業(yè)務發(fā)展，受品牌知名度的影響較大。

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存儲巨頭尋求新增長點

以手機、PC為代表的消費電子市場需求回暖，還不足以支撐存儲巨頭業(yè)績快速增長，AI帶來的市場增量想象空間巨大。目前，主流AI訓練芯片為了提升帶寬以便更好地發(fā)揮算力，都采用了HBM與算力芯片進行合封，因此AI服務器端成長性明顯。

美光科技的測算顯示，每臺AI服務器的DRAM需求和NAND需求是普通服務器的8倍和3倍。此外，從ChatGPT到文生視頻模型Sora，以及各公司自建的AI大模型，都需要用到AI服務器。

當前，服務器內(nèi)存市場上占主要份額的仍然是三星、SK海力士、美光科技等國際原廠，并且它們在HBM上的擴產(chǎn)也是史無前例。公開資料顯示，HBM具備高帶寬、高容量、低延時和低功耗的優(yōu)勢，目前已逐步成為在AI服務器中與GPU搭載的標配，并被視為“最適用于AI訓練、推理的存儲芯片”。事實上，英偉達推出的多款用于AI訓練的芯片V100、A100、H100等，都采用了HBM作為顯存。其中，A100和H100芯片搭載了高達80GB的HBM2e和HBM3顯存，最新的H200芯片搭載了速率更快、容量更高的HBM3e。

HBM被存儲大廠視為未來業(yè)績回升的主要推動力。廠商方面，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。三星官方還曾透露，公司計劃在今年第四季度之前，將HBM的最高產(chǎn)量提高到每月15萬至17萬件，以此來爭奪2024年的HBM市場。此前三星電子斥資105億韓元收購了三星顯示的一些工廠和設(shè)備，以擴大HBM產(chǎn)能，同時還計劃投資7000億至1萬億韓元新建封裝線。

另一韓國內(nèi)存芯片巨頭海力士則在財報中表示，計劃在2024年增加資本支出，并將生產(chǎn)重心放在HBM等高端存儲產(chǎn)品上，HBM的產(chǎn)能對比去年將增加一倍以上。

雖然美光科技在全球HBM市場的份額占比較低，但公司預計整個2024財年中，HBM產(chǎn)品將帶來“數(shù)億美元”的收入。美光科技總裁兼首席執(zhí)行官還表示，公司2024年的HBM已經(jīng)售罄，2025年的大部分供應也已獲得分配。

TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預估，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV（TSV是一項實現(xiàn)芯片內(nèi)部互聯(lián)的技術(shù)）的產(chǎn)能，占DRAM總產(chǎn)能的約14%。預估2023年，HBM產(chǎn)值占比在DRAM整體產(chǎn)業(yè)中占比約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。

不過，在群聯(lián)電子執(zhí)行長潘健成看來，HBM作為內(nèi)存方案對于多數(shù)企業(yè)和個人而言十分昂貴，雖然AI模型訓練具備廣闊的市場空間，但市場規(guī)模的擴大迫切需要更具性價比的解決方案。

對此，慧榮科技CAS（終端與車用存儲）業(yè)務群資深副總段喜亭也表示認可。“AI從云端計算逐漸往邊緣運動非常重要，尤其是訓練加上推理都在云端做。但以后會逐漸變成訓練在云端做，而推理逐漸往邊緣或者終端移動，這樣可以降低傳輸上的需求，甚至把推理移動到邊緣之后它可以加入個人的興趣，以及加強個人隱私等等。但把AI帶到邊緣有一個很重要的壁壘，就是昂貴的HBM給所有邊緣計算帶來了非常大的成本壓力。”

 

降低成本是AI普及過程中的重大挑戰(zhàn)。段喜亭給出建議稱，首先LLM（大型語言模型）必須微型化、輕量化，再加上必須借助固態(tài)硬盤低價格、低成本的優(yōu)勢，來讓整體成本往下降，這樣才有機會把AI普及到不只是高階手機和車，而是往中端來擴散。

談及HBM業(yè)務，王景陽坦言，江波龍目前并不涉及，但他認為AI的到來會催生出很多新的機會。“首先，AI需要更高容量的存儲；其次，很多細分的行業(yè)頭部客戶開始密集溝通一些定制性需求，而不是像以前一樣只要標準化的產(chǎn)品。另外，AI應用還會使得一些周邊器件升級。”

但他強調(diào)，產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要周期。“從概念變成產(chǎn)品，是需要時間的，如果我們做出一些高端的存儲產(chǎn)品，當然毛利會很好，但客戶能不能接受、能不能大規(guī)模上市、能不能配合它的應用、主芯片平臺支不支持，還存在一系列需要考慮的問題。”王景陽認為。

展望2024年的發(fā)展，王景陽稱：“今年公司持續(xù)會做兩件事。首先，持續(xù)打造產(chǎn)品和技術(shù)，扎實經(jīng)營，并通過自身的經(jīng)營布局，努力實現(xiàn)正向業(yè)績；其次，要為未來提供核心競爭力，有些人覺得我們的投入短期不一定見效，或者跟市場的熱門不匹配，這是因為我們有中長期的布局，會按照自己的節(jié)奏持續(xù)推進。”

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