2023-10-17 16:15:51
10月17日，三星電子內存業(yè)務負責人Lee Jung-Bae發(fā)表文章稱，三星已生產出基于其第九代V-NAND閃存產品的運行芯片，希望明年初可以實現(xiàn)量產；該公司還正在開發(fā)行業(yè)內領先的11納米級DRAM芯片。他還表示，對于DRAM，三星正在研發(fā)3D堆疊結構和新材料；對于NAND閃存，正在通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現(xiàn)半導體行業(yè)最小的單元尺寸。三星計劃于10月20日在硅谷舉辦“2023三星存儲技術日”。（界面）
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