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中國(guó)工程院院士丁榮軍:第三代半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)十年復(fù)合增速將超20%

2023-06-29 11:34:48

每經(jīng)AI快訊,6月29日,在浙江瑞安召開(kāi)的2023國(guó)際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會(huì)上,中國(guó)工程院院士丁榮軍表示,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)(包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術(shù))已經(jīng)開(kāi)始獲得應(yīng)用,并具有很大的性能及市場(chǎng)潛力,將在未來(lái)十年獲得高達(dá)年復(fù)合20%以上的快速增長(zhǎng)。(上證報(bào))

責(zé)編 張喜威

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