通富微電：在存儲器領(lǐng)域，公司多層堆疊NAND Flash及LPDDR封裝實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)

每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動平臺提問：請問公司3D TSV封裝技術(shù)是否已成熟，是否領(lǐng)先同行業(yè)？是否已經(jīng)有量產(chǎn)？2023年合同定單有多少？2023年公司的盈利預(yù)期是多少？

通富微電（002156.SZ）12月21日在投資者互動平臺表示，在存儲器領(lǐng)域，公司多層堆疊NAND Flash及LPDDR封裝實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，同時在國內(nèi)首家完成基于TSV技術(shù)的3DS DRAM封裝開發(fā)，助推公司進(jìn)階成為更有競爭力的存儲器封裝企業(yè)。2023年相關(guān)訂單及盈利預(yù)期情況屬于公司商業(yè)機密及內(nèi)幕信息，我們無法回復(fù)，給您帶來不便，敬請諒解！

(記者 賈運可)

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