新三板創(chuàng)新層公司原子高科新增專利信息授權(quán)：“加速器放射性核素固體靶自動(dòng)溶靶裝置”

每經(jīng)訊，據(jù)啟信寶，新三板創(chuàng)新層公司原子高科（430005）新增專利信息，專利權(quán)人為原子高科，發(fā)明人是李光、溫凱、段菲、馬承偉、褚浩淼、趙紫宇、張文輝、李洪玉、趙海龍、李忠勇、李超。專利授權(quán)日為2022年3月18日，專利名稱為“加速器放射性核素固體靶自動(dòng)溶靶裝置”，專利類型為中國(guó)實(shí)用新型專利，專利申請(qǐng)?zhí)枮镃N202121429040.X。

該專利摘要顯示：本實(shí)用新型提供一種加速器放射性核素固體靶自動(dòng)溶靶裝置，包括溶解槽組件，包括平行設(shè)置的溶解槽底座和溶解槽上蓋，所述溶解槽底座靠近所述溶解槽上蓋的一側(cè)向內(nèi)凹陷形成第一凹槽，所述溶解槽上蓋對(duì)應(yīng)于所述第一凹槽的位置向內(nèi)凹陷形成第二凹槽，所述第二凹槽的槽底設(shè)置有貫通于所述溶解槽上蓋的液體孔和氣體孔，所述液體孔內(nèi)插設(shè)有導(dǎo)管；加熱組件，設(shè)置于所述第一凹槽內(nèi)，所述加熱組件靠近所述第二凹槽的一側(cè)構(gòu)造出平面；升降組件，連接于所述溶解槽上蓋。溶靶過程的各個(gè)環(huán)節(jié)均可自動(dòng)化完成，廢氣可以集中處理，操作人員不必直接接觸溶靶裝置以及靶片組件，減少了放射性物質(zhì)以及廢氣對(duì)操作人員造成的傷害和對(duì)操作環(huán)境造成的污染和腐蝕。

(記者 湯輝)

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