新三板創(chuàng)新層公司原子高科新增專利信息授權(quán)：“一種β平面源”

每經(jīng)訊，據(jù)啟信寶，新三板創(chuàng)新層公司原子高科（430005）新增專利信息，專利權(quán)人為原子高科，專利授權(quán)日為2021年11月5日，專利名稱為“一種β平面源”，專利類型為中國實(shí)用新型專利，專利申請(qǐng)?zhí)枮镃N202120296157.9。

該專利摘要顯示：本實(shí)用新型公開了一種β平面源，該β平面源包括：基材托片和封堵層；基材托片的至少部分表面經(jīng)過氧化，形成有氧化膜區(qū)域，氧化膜區(qū)域填充有放射性材料；封堵層用于阻止放射性材料滲出，覆蓋在基材托片的氧化膜區(qū)域表面。本申請(qǐng)的β平面源，在使用基材托片的氧化膜區(qū)域吸附填充有放射性材料的基礎(chǔ)上，設(shè)置封堵層，覆蓋在氧化膜區(qū)域之上，以此阻止放射性材料滲出，從而提高了β平面源的使用壽命和檢測(cè)效果。

(記者 周宇翔)

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