聞泰科技：2021年上半年，公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)研發(fā)投入3.93億元（全年規(guī)劃9.4億元）

每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動平臺提問：尊敬的董秘，您好！想咨詢兩個問題，1、目前汽車芯片短缺主要涉及到功率半導(dǎo)體（IGBT和MOSFET等）、控制MCU及傳感器等，其中安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品主要涉及哪幾個品類呢？2、安世半導(dǎo)體目前的研發(fā)涉及哪幾個方向？進展如何？期待您的回復(fù)！謝謝！

聞泰科技（600745.SH）11月4日在投資者互動平臺表示，安世半導(dǎo)體在行業(yè)推出領(lǐng)先性能的第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件 (GaN FET)，目標市場包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源，特別是在插電式混合動力汽車或純電動汽車中，氮化鎵技術(shù)是其使用的牽引逆變器的首選技術(shù)。目前公司的650V氮化鎵（GaN）技術(shù)，已經(jīng)通過車規(guī)級測試。碳化硅（SiC）產(chǎn)品目前已經(jīng)交付了第一批晶圓和樣品。 2021年上半年，公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)研發(fā)投入3.93億元（全年規(guī)劃9.4億元），進一步加強了在中高壓Mosfet、化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品SiC和GaN產(chǎn)品、以及模擬類產(chǎn)品的研發(fā)投入。在化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品方面，目前氮化鎵已推出硅基氮化鎵功率器件(GaN FET)，已通過AEQC認證測試并實現(xiàn)量產(chǎn)，碳化硅技術(shù)研發(fā)也進展順利，碳化硅二極管產(chǎn)品已經(jīng)出樣。 公司在 2021 年度大幅增加制造能力和研發(fā)方面的全球投資。安世半導(dǎo)體位于德國漢堡和英國曼徹斯特的歐洲晶圓廠實行全新的 200mm技術(shù)。漢堡晶圓廠還會增加對寬帶隙半導(dǎo)體制造新技術(shù)的投資。安世半導(dǎo)體承諾將研發(fā)投資提高至總銷售額的9%左右，以全力支持新產(chǎn)品的開發(fā)。安世半導(dǎo)體在馬來西亞檳城和中國上海開設(shè)了新的全球研發(fā)中心，同時擴大了位于中國香港、漢堡和曼徹斯特的現(xiàn)有研發(fā)機構(gòu)。公司還加強位于中國廣東、馬來西亞芙蓉市和菲律賓卡布堯封測能力，包括實現(xiàn)先進自動化和系統(tǒng)級封裝 (SiP) 技術(shù)能力。新增的全球投資將確保我們繼續(xù)提供大批量交付產(chǎn)品所需的技術(shù)和制造能力，以滿足未來的增長需求。2021年，預(yù)計全年規(guī)劃資本性支出18.4億元，主要擴大產(chǎn)能和研發(fā)相關(guān)的設(shè)備投入。公司在德國漢堡晶圓廠的新增8寸晶圓產(chǎn)線已順利投產(chǎn)運營。安世集團已完成對英國Newport晶圓廠100%股權(quán)的收購，并已將其運營納入管理體系,進一步強化公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)車規(guī)產(chǎn)能的布局。Newport晶圓廠在車規(guī)級IGBT、功率MOSFET、模擬芯片和化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域的產(chǎn)能和工藝能力，與安世集團現(xiàn)有的產(chǎn)品與工藝能力的融合，將有助于推動公司抓住電動汽車時代和AIoT時代帶來的雙重機遇。公司推動在SiP等晶圓級封裝、車規(guī)模塊產(chǎn)品、Mini/MicroLed產(chǎn)品等領(lǐng)域的深入拓展，將帶來在消費電子、汽車、工業(yè)、醫(yī)療等領(lǐng)域的全面創(chuàng)新協(xié)同。

(記者 張喜威)

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