中微公司：在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設備可應用于64層和128層的量產(chǎn)，同時公司根據(jù)存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層及以上關鍵刻蝕應用以及相對應的極高深寬比的刻蝕設備和工藝

每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動平臺提問：請問，貴公司在先進制程的刻蝕裝備上是否受益于這次海外芯片產(chǎn)能的擴產(chǎn)，大致情況如何？

中微公司（688012.SH）10月22日在投資者互動平臺表示，公司積極關注下游市場擴產(chǎn)計劃并努力爭取各種可能的市場機會，公司的刻蝕設備在國內(nèi)主要客戶端市場占有率不斷提升。 在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，公司開發(fā)的12英寸高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶65納米到5納米等先進的芯片生產(chǎn)線上；同時，公司根據(jù)先進集成電路廠商的需求，已開發(fā)出小于5納米刻蝕設備用于若干關鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)領先客戶的批量訂單。公司目前正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設備和包括更先進大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋5納米以下更多刻蝕需求和更多不同關鍵應用的設備。 在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設備可應用于64層和128層的量產(chǎn)，同時公司根據(jù)存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋128層及以上關鍵刻蝕應用以及相對應的極高深寬比的刻蝕設備和工藝。 此外，公司的電感性等離子刻蝕設備已經(jīng)在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，根據(jù)客戶的技術發(fā)展需求，正在進行下一代產(chǎn)品的技術研發(fā)，以滿足5納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求，并進行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設備的研發(fā)。

(記者 王曉波)

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