賽微電子：公司在碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）材料及制造方面同樣具有技術(shù)儲(chǔ)備

每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動(dòng)平臺(tái)提問：董秘您好，請(qǐng)問貴公司有碳化硅產(chǎn)品嗎？謝謝！

賽微電子（300456.SZ）8月29日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，您好，GaN和SiC都屬于第三代半導(dǎo)體，在寬禁帶和擊穿電場(chǎng)方面都有相同的特性，都適合做功率電子應(yīng)用，氮化鎵具有高導(dǎo)通能力，氮化鎵的異質(zhì)結(jié)是碳化硅不具備的，因此，氮化鎵相對(duì)碳化硅更具有速率和效率方面的優(yōu)勢(shì)；另一方面碳化硅起步較早，更加成熟，有一定的成本優(yōu)勢(shì)，良率、熱導(dǎo)率也會(huì)更好些，因此在超高壓大功率有更強(qiáng)的散熱優(yōu)勢(shì)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，在功率系統(tǒng)里，大于10KW以上的汽車逆變器、軌道交通、發(fā)電等應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅更有優(yōu)勢(shì)，在10KW以下的快充、智能家電、無(wú)線充電、服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域，氮化鎵有更多的優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，以上屬于我們公司的理解，不一定權(quán)威，還請(qǐng)投資者多方咨詢確認(rèn)。公司在碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）材料及制造方面同樣具有技術(shù)儲(chǔ)備，但在8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）方面的技術(shù)儲(chǔ)備與競(jìng)爭(zhēng)力方面更為突出，材料技術(shù)與工藝制造能力都是為產(chǎn)品服務(wù)，具體取決于客戶需求，謝謝關(guān)注！

(記者 張喜威)

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