2018-06-06 10:20:54
據(jù)悉，中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所突破了大直徑SiC生長的溫場設(shè)計，實現(xiàn)可用于150mm直徑SiC單晶生長爐高極限真空、低背景漏率生長爐設(shè)計制造及小批量生產(chǎn)；還突破了高純SiC粉料中的雜質(zhì)控制技術(shù)、粒度控制技術(shù)、晶型控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)，實現(xiàn)了99.9995%以上純度的SiC粉料的批量生產(chǎn)。（科技日報）
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