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半年翻倍 內(nèi)存條掀起漲價潮

人民網(wǎng) 2017-10-09 10:01:00

DRAM價格的上漲直接導致內(nèi)存成本大幅上升,半年間,內(nèi)存條漲幅超六成。

2017年,DRAM內(nèi)存漲價有目共睹。包括PC內(nèi)存條零售價、智能手機內(nèi)存成本,均較2016年有較大漲幅。根據(jù)IC Insights的最新報告,過去的12個月,DRAM已經(jīng)從2.45美元漲到5.16美元,漲幅達到驚人的111%,而且它在年底之前預(yù)計還會出現(xiàn)高達40%的增長。

DRAM價格的上漲直接導致內(nèi)存成本大幅上升,其售賣價格也以驚人的速度在上漲。在京東商城,影馳GAMER DDR4-2400 8G內(nèi)存條從今年4月份的389元上漲到如今的629元,漲幅超六成。另外一款GAMERⅢ極光RGB內(nèi)存更是在5天時間內(nèi)一路狂飆了100元。金士頓DDR424008G臺式機內(nèi)存在半年內(nèi)價格從400元左右漲至800元左右。而放眼整個存儲市場,各大品牌的內(nèi)存價格都無一例外在飛漲。

業(yè)內(nèi)專家表示,過去內(nèi)存的使用主要以PC為主,應(yīng)用市場較為單一。如今除了PC,智能手機、企業(yè)服務(wù)器的迅猛發(fā)展對內(nèi)存的需求愈來愈大,而DRAM正在進行技術(shù)世代交替,產(chǎn)能跟不上。另外,內(nèi)存使用的DRAM主要由少數(shù)幾家公司所提供,現(xiàn)階段內(nèi)存廠商仍以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主,并未大幅擴張新產(chǎn)能。

據(jù)了解,目前,DRAM內(nèi)存市場以三星電子、美光科技、SK海力士三大巨頭競爭為主,根據(jù)Trendforce的數(shù)據(jù),截至2016年三季度三大廠DRAM市場份額總和約占全球市場94%。

其中,三星電子、美光科技成為這場漲價潮最大的受益者。7月7日,三星電子公布的W2業(yè)績報告顯示,營業(yè)利潤達到14萬億韓元(約合121億美元),同比增長72%,創(chuàng)歷史新高。而美光科技發(fā)布的第四財季業(yè)績系顯示,營收創(chuàng)下61.4億美元,比同期增長91%。

漲價背后也和三大廠供給收縮有關(guān)。當下,半導體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場技術(shù)迭代升級,即2DNANDFlash(二維閃存)轉(zhuǎn)移至3DNANDFlash(三維閃存),三大廠紛紛進入閃存迭代升級的產(chǎn)線建設(shè)同時,對于DRAM的開發(fā)和資本投入方面相對保守。上述分析師表示,預(yù)計到2018年,隨著3DNANDFlash產(chǎn)能和良率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn),存儲器供應(yīng)緊張局面有望緩解。

(來源:人民網(wǎng))

責編 梁秋月

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內(nèi)存翻倍漲價

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