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士蘭微披露2024年中報:凈虧損近2500萬元,金融資產(chǎn)公允價值變動拖累業(yè)績

每日經(jīng)濟新聞 2024-08-19 20:42:20

◎士蘭微IPM模塊的營業(yè)收入達到14.13億元,較上年同期增長約50%。預(yù)期今后公司IPM模塊的營業(yè)收入將會繼續(xù)快速成長。

◎公司正在加快汽車級IGBT芯片、SiC MOSFET芯片和汽車級功率模塊(PIM)產(chǎn)能的建設(shè),預(yù)計今后公司IGBT器件成品和芯片、PIM模塊(IGBT模塊和SiC模塊)等產(chǎn)品的營業(yè)收入將快速成長。

每經(jīng)記者 朱成祥    每經(jīng)編輯 梁梟    

8月19日晚間,士蘭微(600460.SH,股價19.9元,市值331.15億元)披露2024年中報。財務(wù)數(shù)據(jù)顯示,2024年上半年,公司實現(xiàn)營業(yè)收入52.74億元,同比增長17.83%;歸屬于上市公司股東的凈利潤為﹣2492.39萬元,上年同期為﹣4121.89萬元;扣非后凈利潤1.26億元,同比下降22.39%。

對于凈利潤虧損,士蘭微表示,公司持有的其他非流動金融資產(chǎn)中昱能科技(688348.SH,股價43.78元,市值68.42億元)、安路科技(688107.SH,股價20.04元,市值80.33億元)股票價格下跌,導(dǎo)致其公允價值變動產(chǎn)生的稅后凈收益為﹣1.62億元。

此外,記者觀察到,士蘭微2024年中報計提固定資產(chǎn)折舊5.35億元,而上年同期固定資產(chǎn)折舊為3.73億元。

營收增長,部分產(chǎn)品毛利率下降

2024年上半年,士蘭微集成電路的營業(yè)收入為20.35億元,較上年同期增長約29%。士蘭微稱,公司IPM(功能功率)模塊、AC-DC(交流直流)電路、32位MCU(微控制單元)電路、快充電路等產(chǎn)品的出貨量明顯加快。

其中,士蘭微IPM模塊的營業(yè)收入達到14.13億元,較上年同期增長約50%。2024年上半年,國內(nèi)多家主流的白電整機廠商在變頻空調(diào)等白電整機上使用了超過8300萬顆士蘭IPM模塊,比上年同期增加約56%。士蘭微表示,預(yù)期今后公司IPM模塊的營業(yè)收入將會繼續(xù)快速成長。

分立器件方面,士蘭微該產(chǎn)品實現(xiàn)營業(yè)收入23.99億元,較上年同期增長約4%。雖然分立器件整體微增,但較為高端的IGBT和碳化硅產(chǎn)品增長顯著。2024年上半年,士蘭微IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)(模塊、器件)的營業(yè)收入已達到7.83億元,較去年同期增長30%以上。

雖然主力產(chǎn)品保持增長,但士蘭微毛利率有所下降。報告期內(nèi),士蘭微持續(xù)加大模擬電路、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM(IGBT功率集成模塊)功率模塊、碳化硅功率模塊、超結(jié)MOSFET(金屬氧化層半導(dǎo)體場效晶體管)器件、MCU電路、化合物芯片和器件等產(chǎn)品在大型白電、通信、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場的推廣力度,公司總體營收較去年同期增長約18%。但同時,由于下游電動汽車、新能源市場競爭加劇,部分產(chǎn)品價格下降較快,產(chǎn)品毛利率降低。對此,士蘭微進一步推出更高性能和更優(yōu)成本的產(chǎn)品,積極擴大市場份額。

上半年計提固定資產(chǎn)折舊5.35億元

對于凈利潤虧損,士蘭微也表示,報告期內(nèi),公司子公司士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線尚處于產(chǎn)能爬坡階段,SiC芯片產(chǎn)出相對較少,資產(chǎn)折舊等固定生產(chǎn)成本相對較高,導(dǎo)致其虧損較大。

士蘭微稱,2024年上半年,公司加快推進“士蘭明鎵SiC功率器件芯片生產(chǎn)線”項目的建設(shè)。截至目前,士蘭明鎵(廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司)已形成月產(chǎn)6000片6吋(英寸)SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力,預(yù)計三季度末產(chǎn)能將達到9000片/月,預(yù)計2024年年底產(chǎn)能將達到1.2萬片/月。

2024年上半年,士蘭微合計計提固定資產(chǎn)折舊5.35億元,其中專用設(shè)備計提折舊4.82億元。值得注意的是,目前士蘭微仍有大規(guī)模產(chǎn)能建設(shè)。截至2024年中報期末,士蘭微在建工程18.18億元,較上年末增長21.43%。

盡管6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線尚在產(chǎn)能爬坡,士蘭微又欲建設(shè)8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。

2024年5月21日,廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與士蘭微電子在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》:各方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiC MOSFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項目分兩期建設(shè),項目一期投資規(guī)模70億元,二期投資規(guī)模約50億元,兩期建設(shè)完成后,將形成年產(chǎn)72萬片(折合6萬片月產(chǎn)能)8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

可以看出,如果士蘭微建成月產(chǎn)6萬片8英寸SiC功率器件,其碳化硅器件產(chǎn)能將大幅擴張。若碳化硅產(chǎn)品收入跟不上產(chǎn)能擴張,產(chǎn)線折舊將對上市公司凈利潤帶來沖擊。

碳化硅產(chǎn)品需求側(cè)方面,士蘭微稱,2024年上半年,基于公司自主研發(fā)的Ⅱ代SiC MOSFET芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊,已通過吉利、匯川等客戶驗證,并開始實現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。公司已初步完成第Ⅲ代平面柵SiC MOSFET技術(shù)的開發(fā),性能指標達到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進水平。公司正在加快產(chǎn)能建設(shè)和升級,盡快將第Ⅲ代平面柵SiC MOSFET芯片導(dǎo)入量產(chǎn)。

士蘭微表示,公司正在加快汽車級IGBT芯片、SiC MOSFET芯片和汽車級功率模塊(PIM)產(chǎn)能的建設(shè),預(yù)計今后公司IGBT器件成品和芯片、PIM模塊(IGBT模塊和SiC模塊)等產(chǎn)品的營業(yè)收入將快速成長。

封面圖片來源:視覺中國-VCG41N1210738055

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