中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長葉甜春：我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要通過路徑創(chuàng)新來開辟新發(fā)展空間

每經(jīng)記者 陳鵬麗    每經(jīng)編輯 楊夏    

6月22日至23日，由芯謀研究主辦的第三屆IC NANSHA大會在廣州南沙召開?！睹咳战?jīng)濟新聞》記者現(xiàn)場參會獲悉，該大會吸引了300多位半導(dǎo)體領(lǐng)域的政、產(chǎn)、學(xué)、研界代表前來參會，包括高通、恩智浦半導(dǎo)體等國際企業(yè)代表，以及工業(yè)富聯(lián)等國內(nèi)頭部企業(yè)的代表等。

22日，中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長葉甜春出席大會并致辭表示，中國的集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要進入新的階段，實現(xiàn)自立自強，打造自身的新質(zhì)生產(chǎn)力。接下來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不僅要在裝備、材料上繼續(xù)攻關(guān)，還要做路徑創(chuàng)新，擺脫當(dāng)年全球化體系下的路徑依賴，開辟自己的發(fā)展空間。

葉甜春 圖片來源：每經(jīng)記者 陳鵬麗 攝

在他看來，國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的重點戰(zhàn)略任務(wù)之一是：基于成熟制程，通過應(yīng)用創(chuàng)新做出高端產(chǎn)品。此外，行業(yè)還要開辟創(chuàng)新發(fā)展路徑。先進制程上，除了現(xiàn)有的晶體硅、FinFET（Fin Field-Effect Transistor，鰭式場效應(yīng)晶體管）的路徑外，基于FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）、平面制程的先進制程路徑也要開辟出來。FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）和平面制程并不是全新的路徑，此前國際上已經(jīng)存在，但葉甜春認為，這一條“特色小路”。

“我們有這種迫切的需求和壓力去把這條‘特色小路’開辟成發(fā)展的主賽道之一。”葉甜春說。

他還認為，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不能只在單芯片的集成上做文章，還要在三維異質(zhì)異構(gòu)這個微系統(tǒng)集成上做文章，這也屬于路徑創(chuàng)新范疇。不過他同時也強調(diào)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的路徑創(chuàng)新，不只是技術(shù)創(chuàng)新的問題，需要一整套“組合拳”打下去才能夠?qū)崿F(xiàn)，包括設(shè)計產(chǎn)業(yè)模式的創(chuàng)新、設(shè)計產(chǎn)業(yè)集群的打造、產(chǎn)業(yè)生態(tài)的構(gòu)建、相應(yīng)產(chǎn)業(yè)政策跟進，以及行業(yè)企業(yè)共同努力等等。