我國(guó)科研人員突破磁存儲(chǔ)材料新技術(shù) 可提升信息存儲(chǔ)速度和密度

每經(jīng)AI快訊，1月19日，記者了解到，近期我國(guó)科研人員突破了原子級(jí)平整反鐵磁金屬單晶薄膜的關(guān)鍵制備技術(shù)，使超快速響應(yīng)超高密度反鐵磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的研制成為可能，有望大幅提升手機(jī)、計(jì)算機(jī)等信息產(chǎn)品運(yùn)行速度。該研究由北京航空航天大學(xué)材料學(xué)院磁性功能材料研究團(tuán)隊(duì)、華中科技大學(xué)物理學(xué)院、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所加工平臺(tái)合作完成，相關(guān)成果19日在國(guó)際學(xué)術(shù)期刊《自然》雜志上發(fā)表。（新華社）