宏微科技：IGBT等功率器件芯片主流制程普遍在350nm以上，最新的制程需求是150nm

每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動(dòng)平臺(tái)提問(wèn)：請(qǐng)問(wèn)公司的IGBT芯片或MOSFET，是多少nm/um 制程的？給貴公司代工的國(guó)產(chǎn)晶圓廠中，如果將來(lái)將來(lái)國(guó)外光刻機(jī)購(gòu)買被禁，它們買的國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)能滿足你們的產(chǎn)品生產(chǎn)要求嘛？

宏微科技（688711.SH）3月16日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，IGBT等功率器件芯片對(duì)制程的要求，沒(méi)有邏輯芯片等集成電路芯片那么高，主流制程普遍在350nm以上，最新的制程需求是150nm, 所以對(duì)應(yīng)的光刻機(jī)設(shè)備不會(huì)受到像14nm、7nm制程那樣的約束。隨著國(guó)內(nèi)制程技術(shù)的逐步成熟，IGBT芯片制造設(shè)備（含光刻設(shè)備）的國(guó)產(chǎn)替代也正在加速。

(記者 姚祥云)

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