賽微電子：公司在8英寸硅基氮化鎵方面的技術(shù)儲備與競爭力更突出

每經(jīng)AI快訊，有投資者在投資者互動平臺提問：您好：請問公司和子公司聚能創(chuàng)芯有生產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品嗎？碳化硅與氮化鎵有什么區(qū)別和應用？

賽微電子（300456.SZ）12月12日在投資者互動平臺表示，您好，GaN和SiC都屬于第三代半導體，在寬禁帶和擊穿電場方面都有相同的特性，都適合做功率電子應用，氮化鎵具有高導通能力，氮化鎵的異質(zhì)結(jié)是碳化硅不具備的，因此，氮化鎵相對碳化硅更具有速率和效率方面的優(yōu)勢；另一方面碳化硅起步較早，更加成熟，有一定的成本優(yōu)勢，良率、熱導率也會更好些，因此在超高壓大功率有更強的散熱優(yōu)勢。簡單來說，在功率系統(tǒng)里，大于10KW以上的汽車逆變器、軌道交通、發(fā)電等應用領域，碳化硅更有優(yōu)勢，在10KW以下的快充、智能家電、無線充電、服務器等應用領域，氮化鎵有更多的優(yōu)勢。當然，以上屬于我們公司的理解，不一定權(quán)威，還請投資者多方咨詢確認。公司在碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）材料及制造方面同樣具有技術(shù)儲備，但在8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）方面的技術(shù)儲備與競爭力方面更為突出，材料技術(shù)與工藝制造能力都是為產(chǎn)品服務，具體取決于客戶需求，謝謝關注！

(記者 曾健輝)

免責聲明：本文內(nèi)容與數(shù)據(jù)僅供參考，不構(gòu)成投資建議，使用前核實。據(jù)此操作，風險自擔。